YES-VertaCure由世界上最大的公司選擇,是經過生產驗證的平臺,可容納200mm/300mm晶片,并在集成的1類微型環(huán)境中自動處理多達兩個處理模塊。
真空固化的優(yōu)勢
?3.5小時與8小時以上的大氣壓相比
?層流減少/消除了顆粒
?更徹底的固化(排氣量減少5倍)
?減少膜應力,降低晶片翹曲
?功耗和N2消耗減少1.6到2倍
?大大降低了資本成本,降低了2-3倍的運營成
本VertaCure 1PM和2PM系統分別容納50和100個晶片。
環(huán)境清潔度:100級
EFEM清潔度:100級
最高溫度:<450°C
WiW溫度均勻性:駐留溫度在250°C以下+/- 1.5°C和在250°C以上+/- 2.5°C(兩種情況的穩(wěn)
定時間均小于15分鐘。)
升溫速率:150至450°C最低8.0°C / min
下降速度:從450至150°C最低3.2°C / min正常運行時間≥98%
MTTR:≤4小時
MTBF:≥500小時
翹曲:≤3mm一側
晶圓破損:最大破損率<50 ppm
晶圓尺寸:□300 mm,□200 mm,□150 mm,□100 mm(8英寸晶圓厚度@ 450-900um,12英寸晶
圓厚度@ 760um)
裝載端口數量:□2,□4,□其他用于200mm / 300mm FOUP的開放式卡匣適配器
工藝氣體類型:氮氣-預熱
MFC:1 N2校準MFC
最大流量:50 SLM
泵:由客戶提供(推薦與Ebara EV-A06 21 CFM相同或等同)
清潔排氣:室內冷卻空氣與環(huán)境空氣混合(將排氣溫度降低到安全暴露極限以下。僅排熱;排氣
中不存在工藝氣體或流出物。 最高流量為2000 SCFM,排氣溫度≤40°C)
泵排氣:洗滌器–最大流量21 CFM
ESD SEMI:符合S2和S8
腔室:不銹鋼腔室SUS 316L
處理模塊:1個50個晶圓(用于VertaCure 1PM); 2個100晶圓(對于VertaCure 2PM)
O2監(jiān)測器的O2濃度:在過程開始后20分鐘內<10 ppm(連續(xù)監(jiān)測過程室真空排氣中的氧濃度以驗證
氧氣性能。 O2值將保存到過程日志中,也可以通過SECS/GEM界面進行訪問。)
通訊標準:SECS(HSMS-SS)
GUI:圖形用戶界面,帶觸摸屏串行RS-232C,并行I/O
Windows:Windows 8.1+
保修:驗收后12個月,僅限非消耗品